中國(guó)業(yè)內(nèi)優(yōu)秀品牌質(zhì)量保證
掌握行業(yè)核心技術(shù)

  電子產(chǎn)品特別是電源適配器的設(shè)計(jì)是一個(gè)系統(tǒng)工程，不但要考慮電源本身參數(shù)設(shè)計(jì)，還要考慮電氣設(shè)計(jì)、電磁兼容設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、安全性設(shè)計(jì)、三防設(shè)計(jì)等方面。因?yàn)槿魏畏矫婺呐率亲钗⑿〉氖韬?，都可能?dǎo)致整個(gè)電源的崩潰，所以我們應(yīng)充分認(rèn)識(shí)到電源產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)的重要性

1．供電方式的選擇

  集中式供電系統(tǒng)各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質(zhì)量，而且應(yīng)用單臺(tái)電源供電，當(dāng)電源發(fā)生故障時(shí)可能導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。分布式供電系統(tǒng)供電單元靠近負(fù)載，改善了動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易，所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求

2．電路拓?fù)涞倪x擇

  電源適配器一般采用單端正激式、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓?fù)洹味苏な?、單端反激式、雙單端正激式、推挽式的開(kāi)關(guān)管的承壓在兩倍輸入電壓以上，如果按60％降額使用，則使開(kāi)關(guān)管不易選型。在推挽和全橋拓?fù)渲锌赡艹霈F(xiàn)單向偏磁飽和，使開(kāi)關(guān)管損壞，而半橋電路因?yàn)榫哂凶詣?dòng)抗不平衡能力，所以就不會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題。雙管正激式和半橋電路開(kāi)關(guān)管的質(zhì)壓僅為電源的最大輸入電壓，即使按60％降額使用，選用開(kāi)關(guān)管也比較容易。在高可靠性工程上一般選用這兩類(lèi)電路拓?fù)?/span>

3.控制策略的選擇

  在中小功率的電源中，電流型PwM控制是大量采用的方法，它較電壓控制型有如下優(yōu)點(diǎn)：逐周期電流限制，比電壓型控制更快，不會(huì)因過(guò)流而使開(kāi)關(guān)管損壞，大大減小過(guò)載與短路的保護(hù)；優(yōu)良的電網(wǎng)電壓調(diào)整率；迅捷的瞬態(tài)響應(yīng)；環(huán)路穩(wěn)定，易補(bǔ)償；紋波比電壓控制型小得多生產(chǎn)實(shí)踐表明電流控制型的50W電源適配器的輸出紋波在25mV左右，遠(yuǎn)優(yōu)于電壓控制型硬開(kāi)關(guān)技術(shù)因開(kāi)關(guān)損耗的限制，開(kāi)關(guān)頻率一般在350kHz以下，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)用諧振原理，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗為零，從而可將開(kāi)關(guān)頻率提高到兆赫級(jí)水平，這種應(yīng)用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的變換器綜合了PWM變換器和諧振變換器兩者的優(yōu)點(diǎn)，接近理想的特性，如低開(kāi)關(guān)損耗、恒頻控制、合適的儲(chǔ)能元件尺寸、較寬的控制范圍及負(fù)載范圍，但是此項(xiàng)技術(shù)主要應(yīng)用于大功率電源，中小功率電源中仍以PWM技術(shù)為主。

元器件的選用

  因?yàn)樵骷苯記Q定了電源的可靠性，所以元器件的選用非常重要。元器件的失效主要集中在以下四個(gè)方面。

（1）制造質(zhì)量問(wèn)題質(zhì)量問(wèn)題造成的失效與工作應(yīng)力無(wú)關(guān)。質(zhì)量不合格的可以通過(guò)嚴(yán)格的檢驗(yàn)加以剔除，在工程應(yīng)用時(shí)應(yīng)選用定點(diǎn)生產(chǎn)廠家的成熟產(chǎn)品，不允許使用沒(méi)有經(jīng)過(guò)認(rèn)證的產(chǎn)品。

（2）元器件可靠性問(wèn)題元器件可靠性問(wèn)題，即基本失效率的問(wèn)題，這是一種隨機(jī)性質(zhì)的失效，與質(zhì)量問(wèn)題的區(qū)別是元器件的失效率取決于工作應(yīng)力水平。在一定的應(yīng)力水平下，元器件的失效率會(huì)大大下降。為別除不符合使用要求的元器件，包括電參數(shù)不合格、密封性能不合格、外觀不合格、穩(wěn)定性差、早期失效等，應(yīng)進(jìn)行篩選試驗(yàn)，這是一種非破壞性試驗(yàn)。通過(guò)篩選可使元器件失效率降低1～2個(gè)數(shù)量級(jí)。電源設(shè)備主要元器件的篩選試驗(yàn)一般要求：

①電阻在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100％測(cè)試，別除不合格品。

②普通電容器在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100％測(cè)試，別除不合格品。

③接插件按技術(shù)條件抽樣檢測(cè)各種參數(shù)。

④半導(dǎo)體器件按以下程序進(jìn)行篩選：目檢、初測(cè)、高溫儲(chǔ)存、高低溫沖擊、電功率老化、高溫測(cè)試、低溫測(cè)試、常溫測(cè)試。篩選結(jié)束后應(yīng)計(jì)算剔除率Q＝n／N×100％（6－23）式中：N—受試樣品總數(shù)；被剔除的樣品數(shù)。

  如果Q超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的上限值，則本批元器件全部不準(zhǔn)上機(jī)，并按有關(guān)規(guī)定處理。在符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定時(shí)，則將篩選合格的元器件打漆點(diǎn)標(biāo)注，然后入專(zhuān)用庫(kù)房供裝機(jī)使用

（3）設(shè)計(jì)問(wèn)題

首先是恰當(dāng)?shù)剡x用合適的元器件：

①盡量選用硅半導(dǎo)體器件，少用或不用鍺半導(dǎo)體器件

②多采用集成電路，減少分立器件的數(shù)目。

③開(kāi)關(guān)管選用 MOSFET能簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路，減少損耗。

④輸出整流管盡量采用具有軟恢復(fù)特性的二極管。

⑤應(yīng)選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件。禁止選用塑料封裝的器件。

⑥集成電路必須是一類(lèi)品或者是符合MILM－38510、MS19500標(biāo)準(zhǔn)B－1以上質(zhì)量等級(jí)的軍品

⑦設(shè)計(jì)時(shí)盡量少用繼電器，確有必要時(shí)應(yīng)選用接觸良好的密封繼電器。

⑧原則上不選用電位器，必須保留的應(yīng)進(jìn)行固封處理

⑨吸收電容器與開(kāi)關(guān)管和輸出整流管的距離應(yīng)當(dāng)很近，因流過(guò)高頻電流，故易升溫，所以要求這些電容器具有高頻低損耗和耐高溫的特性。

（４）環(huán)境問(wèn)題

  在潮濕和鹽霧環(huán)境下，鋁電解電容會(huì)發(fā)生外殼腐蝕、容量漂移、漏電流增大等現(xiàn)象，所以在艦船和潮濕環(huán)境中最好不要用鋁電解電容。由于受空間粒子轟擊時(shí)電解質(zhì)會(huì)分解，所以鋁電解電容也不適用于航天電子設(shè)備的電源中。